Наноэлектронные устройства и их модели
Балашов А.Г., Крупкина Т.Ю., Лосев В.В., Старосельский В.И.
Учебное пособие. - Москва, МИЭТ, 2010. - 98 с.Основные параметры МДП транзистора
Структуры наноразмерных МДПТ
Масштабирование МДП-транзисторов
Влияние параметров транзисторов на характеристики ИМС
Основные параметры идеализированного транзистора
Ограничение скорости носителей в канале
Модуляция длины канала
Коэффициент усиления
Подвижность носителей в канале
Подпороговый ток
Эффекты малых размеров
Модель МДПТ в SPICE
Учет технологических факторов разброса
Моделирование в TCAD как часть «проектирования для производства»
Использование метода Монте – Карло
Литература
Структуры наноразмерных МДПТ
Масштабирование МДП-транзисторов
Влияние параметров транзисторов на характеристики ИМС
Основные параметры идеализированного транзистора
Ограничение скорости носителей в канале
Модуляция длины канала
Коэффициент усиления
Подвижность носителей в канале
Подпороговый ток
Эффекты малых размеров
Модель МДПТ в SPICE
Учет технологических факторов разброса
Моделирование в TCAD как часть «проектирования для производства»
Использование метода Монте – Карло
Литература
Litres
Хотите добавить книжный магазин? Свяжитесь с нами по support@z-lib.do
Конвертируйте файлы
Больше результатов поиска
Другие преимущества 
